Yole：2022年DRAM/NAND闪存市场规模预计将创历史新高

市场监管机构yole dédevelopment最近发布了存储器行业的年度状况报告，报告显示，2022年，DRAM和NAND闪存市场将分别增长25%和24%，达到1180亿美元和830亿美元，均创历史新高。从2021年到2027年，独立内存市场预计将增长到2600亿美元以上，CAGR为8%。但是，季节性因素还是会存在的。

据Evertiq报道，Yole Memory高级市场和技术分析师Simone Bertolazzi博士表示，“在贸易摩擦和新冠肺炎疫情爆发的情况下，独立内存市场在过去两年一直在扩大。2020年和2021年收入分别增长15%和32%。这一显著增长是由大多数细分市场的有限产量和强劲需求增长推动的。”

2022年是NAND闪存发明35周年。自1987年以来，NAND器件的位密度和位成本一直在增加。为了保持这种规模，人们正在深入研究新的技术解决方案，包括CBA架构，如长江存储的Xtacking方法。现在所有的内存厂商都在使用混合键合设备进行研发。Chixia和Samsung等主要供应商正在将晶圆到晶圆键合纳入NAND发展蓝图。

在DRAM业务中，Yole指出，目前的共识是，平面缩放——即使通过光刻EUV工艺，也不足以在未来十年提供所需的位密度改进。因此，主要设备供应商和领先的DRAM制造商正在考虑将单片3D DRAM作为长期扩张的潜在解决方案。Yole的分析师认为，这种新的3D技术可能会在2029-2030年进入市场。