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AOS推出Gen31200VαSiCMOSFET旨在最大限度提高高功率应

来源：盖世汽车 时间：2025-05-07 13:14   阅读量：14824   

盖世汽车讯 据外媒报道，设计并开发分立功率器件、宽带隙功率器件、电源管理IC和模块的全球供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited宣布推出其新一代(Gen3)1200V αSiC MOSFET，旨在最大限度地提高不断增长的大功率应用市场的效率。与AOS上一代产品相比，这些Gen3 MOSFET的开关品质因数(FOM)提高了高达30%，同时在高负载条件下保持了较低的传导损耗。性能提升不会影响其坚固性和可靠性，因为Gen3 MOSFET完全符合AEC-Q101标准，具有更长的使用寿命和HV-H3TRB(高压三相负载)能力。

随着电动汽车、人工智能数据中心和可再生能源系统的电力需求激增，功率转换阶段的低效率会严重影响供电和冷却系统。对于电动汽车设计，AOS的第三代αSiC MOSFET使工程师能够创建更高功率密度和更高效率的系统，从而降低电池功耗并延长车辆续航里程。未来采用高压直流(HVDC)架构(例如800V或±400V)的人工智能数据中心将受益于更低的损耗和更高的功率密度，以满足不断增长的电力需求。为了支持这些更高的系统电压，AOS的第三代1200V器件对于实现具有必要效率的新拓扑至关重要。

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